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Memoria DDR4 8GB 3200MHZ Kingston KVR32N22S6
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Descrição Geral
Especificações:
Fonte de alimentação:
- VDD = 1.2V típico
- VDDQ = 1.2V típico
- VPP = 2.5V típico
- VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
- Atualização automática de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ na matriz
- Single rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
- Topologia de passagem
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,23 ?(31,25 mm)
- Compatível com RoHS e sem halogênio
Especificações:
- CL (IDD) = 22 ciclos
- Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.)
- Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.)
- Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)
- Classificação UL: 94V - 0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC
Conteúdo da Embalagem:
- Memoria 8gb Ddr4 3200 Kingston Kvr32n22s6/8
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Fonte de alimentação:
- VDD = 1.2V típico
- VDDQ = 1.2V típico
- VPP = 2.5V típico
- VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
- Atualização automática de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ na matriz
- Single rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
- Topologia de passagem
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,23 ?(31,25 mm)
- Compatível com RoHS e sem halogênio
Especificações:
- CL (IDD) = 22 ciclos
- Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.)
- Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.)
- Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)
- Classificação UL: 94V - 0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC
Conteúdo da Embalagem:
- Memoria 8gb Ddr4 3200 Kingston Kvr32n22s6/8
Fabricante
Kingston
Modelo
KVR32N22S6/8
